三度缺席白宫记协晚宴 特朗普又骂媒体

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Part02MOS误导通的原因咱们以DCDC电路为例，骂媒比方同步开关电源，其拓扑电路，一般是运用一组MOSFET作为上管和下管来分时开关完成稳压输出。除此之外高dv/dt还会发生别的一大损害，缺席那就是假如dv/dt过高，缺席漏源电压的快速改变会经过栅-漏电容Cgd耦合到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，从而使MOSFET在封闭的情况下误导通。

Part01前语在MOSFET中，白宫dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的改变率，即漏极和源极之间电压随时刻的改变速度。

开关频率越高，记协对应的漏极和源极电压随时刻的改变：记协dv/dt会越大，依据MOSFET的栅-漏极电容Cgd和栅-源极电容Cgs之间的比值会在MOS的G-S直接构成一个分压，或经过Cds流向栅极电阻R的电流会在栅极电阻两头构成一个分压，当此分压大于栅极敞开电压时就会导致MOSFET自导通。读书时的万仁俊对数学颇感爱好，晚宴在校园中逐步展露出过人的天分和学习才干，从前屡次取得数学比赛冠军。

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